Banca de DEFESA: JOSE FERNANDO VALVERDE NORONHA

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: JOSE FERNANDO VALVERDE NORONHA
DATA: 12/11/2013
HORA: 09:00
LOCAL: Auditório do Centro de Tecnologia (CT)
TÍTULO:

A APLICAÇÃO DO SILÍCIO GRAU METALURGICO (SIGM) COM BAIXO TEOR DE PUREZA, APLICADO PELO PROCESSO (SILK-SCREEN) MANUAL, NA FORMAÇÃO DE FILMES FINOS EM SUBSTRATOS DE VIDRO BOROSILICATO, NA CONFECÇÃO DE CÉLULAS SOLARES PARA FINS DIDÁTICOS, COM BAIXO HIATO ENERGÉTICO, TENDO O HIDROGÊNIO COMO PASSIVADOR E O SnCl2 (CLORETO DE ESTANHO) COMO PELÍCULA REFLEXIVA.


PALAVRAS-CHAVES:

Semicondutores, Dopagem, Silício Metalúrgico (SIGM), Filmes Finos, Vidro Borosilicato, Junção PN, Células Solares, Corrente Elétrica, Teoria Eletro-lacunas.


PÁGINAS: 139
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:

A crosta terrestre apresenta-se com 28%  sob a forma de Dióxido de Silício, com uma variedade enorme de silicatos, ocupando uma posição de destaque no mundo mineral, da mesma maneira que o Carbono no mundo biológico.

Sabemos que para haver condução elétrica, o Silício deve possuir um alto grau de pureza, de cerca de (99,999%), e ao ser dopado com Boro e Fósforo, transforma-se em um semicondutor, capaz de produzir uma corrente elétrica, sua composição química é altamente impura e amorfa (falta de estrutura), isto é, os átomos da estrutura do silício amorfo apresentam um alto grau de desordem, isso quer dizer que os átomos de sua estrutura não estão arranjados em nenhuma ordem particular (estão em desordem), sua estrutura contem um grande numero de defeitos, não tomando forma cristalina, pois seus átomos não fazem ligações covalentes, a alteração de sua estrutura cristalina pela dopagem de átomos nas ligações falhas, permite à circulação de portadores de carga (elétrons e/ou lacunas) através do material, tornando-o aplicável à utilização em dispositivos eletroeletrônicos. Elementos produzidos a base de silício amorfo (a – Si) em forma de filmes, apresenta vantagens econômicas, pois as tecnologias de custos envolvidos no processo produtivo são relativamente simples e barato, apresentando um baixo consumo de energia elétrica, onde as temperaturas envolvidas estão abaixo de 300°C, o processo dá-se pela deposição de plasma em diversos substratos em camadas muito finas tais como (lâminas de plástico, vidro, aço inox etc.) tipicamente, a espessura da fina camada (a-Si) é de aproximadamente 1 µm (mícron) e pode absorver até 90% da energia luminosa incidente, sua eficiência na conversão da energia luminosa em energia elétrica está na ordem de 5% a 8% e em ambientes laboratoriais na ordem de 14,5%, se quisermos, por outro lado, usarmos o silício metalúrgico normal (SIGM) em uma condução de baixo hiato energético (devido a concentração de impurezas no próprio material) teremos que acrescentar hidrogênio, para fazer a ponte micro-estrutural prevenindo a cristalização espontânea durante a condensação da fase sólida a partir de líquido ou vapor. 


MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1300987 - CARLOS ALBERTO PASKOCIMAS
Interno - 1350249 - RUBENS MARIBONDO DO NASCIMENTO
Externo ao Programa - 2331385 - JAQUELIGIA BRITO DA SILVA
Externo à Instituição - DANIEL ARAÚJO DE MACEDO - UFRN
Externo à Instituição - RICARDO PEIXOTO SUASSUNA DUTRA - UFRN
Notícia cadastrada em: 08/11/2013 10:21
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