Banca de DEFESA: JOSE FERNANDO VALVERDE NORONHA

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: JOSE FERNANDO VALVERDE NORONHA
DATA: 15/04/2014
HORA: 09:00
LOCAL: sala de aulas PPGCEM
TÍTULO:

A HIDROGENIZAÇÃO DO SILICIO GRAU METALURGICO (SIGM) COM GRAU DE PUREZA ABAIXO DE 99,9% NA APLICAÇÃO DE FILMES CONDUTIVOS EM CÉLULAS FOTOVOLTAICAS DE BAIXO TEOR DE CONDUÇÃO ELÉTRICA



PALAVRAS-CHAVES:

Semicondutores, Dopagem, Silício Metalúrgico (SIGM), Filmes Finos, Junção PN, Células Solares, Corrente Elétrica.


PÁGINAS: 120
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:

O enfoque deste trabalho demonstra que o Silício Grau Metalúrgico (SIGM) em pó, e
com grau de pureza abaixo de 99,9%, em relação ao Silício Puro, pode conduzir a
corrente elétrica na ordem de miliamperes (mA). É sabido que o Silício de 99,9% de
Grau de Pureza, o Silício grau solar, e mais recentemente o de grau eletrônico, são
extraídos do Silício Grau Metalúrgico. Para obter-se o Silício com pureza de 99,9%
onde é utilizado em relógios digitais, calculadoras e aparelhos eletrônicos, é preciso
extrair-se de seu minério somente os grãos de alta pureza (Processo Czolchralski), o
que o torna oneroso industrialmente. Este trabalho vem demonstrar que, em uma
primeira fase, e aplicando-se o Hidrogênio H2 a uma pasta básica de Silício,
composta de Etanol a 99,5%, (Álcool Etílico) e Etileno Glicol (C2H4) (OH2) e (tendo o
Etileno como anticoagulante e fixação do semicondutor), do próprio Silício em pó
com grau de pureza abaixo de 99,9% (SIGM), o Hidrogênio é então introduzido ao
sistema devido à tendência deste elemento químico, ligar-se a defeitos estruturais
pré-existentes na estrutura cristalina do Silício (processo denominado de
hidrogenização ou passivação pelo Hidrogênio), criando uma cristalização
espontânea em sua fase sólida a partir do calor como condução, desse modo o
Hidrogênio interferindo na estrutura do Silício provoca também seu encandeamento
(efeito de luz) facilitando a passagem da corrente elétrica, caso haja uma fonte
primária (energia solar) para aquecimento do sistema. Tomando-se então como
base a estrutura de uma célula fotovoltaica (que funciona através do princípio da
junção PN), o mesmo princípio do diodo eletrônico e do transistor, optou-se então
pela substituição do silício (processo czolchalski) pelo do silício grau metalúrgico
(SIGM) com grau de pureza a baixo de 99,9% e acresção do hidrogênio. Foi
construída então, uma célula fotovoltaica com as mesmas dimensões físicas de uma
célula fabricada industrialmente, o diferencial é que neste sistema houve uma
corrente na ordem de mA, comprovando que o silício grau metalúrgico pode
também fazer uma condução elétrica. Através da aplicação de filmes finos
condutivos pelo processo de Screen-Printing (serigrafia) com variação de espessura
de 6,45 µm a 18,16 µm em vidro borossilicato como substrato.


MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1298936 - ANTONIO EDUARDO MARTINELLI
Presidente - 1300987 - CARLOS ALBERTO PASKOCIMAS
Externo à Instituição - CLÁUDIA TERESA TELES FARIAS - IFBA
Externo à Instituição - IVAN COSTA DA SILVA - IFBA
Interno - 1350249 - RUBENS MARIBONDO DO NASCIMENTO
Notícia cadastrada em: 11/04/2014 11:27
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