Banca de DEFESA: JOSÉ CÉSAR AUGUSTO DE QUEIROZ

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE : JOSÉ CÉSAR AUGUSTO DE QUEIROZ
DATA : 24/08/2020
HORA: 08:30
LOCAL: Google Meet: meet.google.com/sdm-pbrf-tsm
TÍTULO:

ESTUDO COMPARATIVO DE FILMES FINOS DE ZnO: Al E ZnO: Al: Ti DEPOSITADOS POR MAGNETRON SPUTTERING E CÁTODO OCO


PALAVRAS-CHAVES:

Filmes finos, Magneton Sputtering, Cátodo Oco, AZO, TAZO, Cálculo ab initio


PÁGINAS: 232
RESUMO:

As pesquisas atuais tem buscado de forma incessante novos materiais que apresentem respostas equivalentes aos semicondutores. Esses materiais possuem caráter multifuncional com efeitos associados entre transparência óptica e resistividade elétrica. Nesse contexto, os filmes finos TCOs são alternativas, que podem suprir determinadas demandas em função da sua natureza óptica e elétrica. Este trabalho investigou de maneira teórica e experimental a deposição de filmes finos de AZO (ZnO dopado com Al) e TAZO (ZnO co-dopado com Al e Ti) depositados por magnetron sputtering e cátodo oco. A síntese dos filmes foi executada com pressão parcial de oxigênio variando entre 0%, 15%, 25% e 50%, respectivamente, em relação ao fluxo total de gases. Investigou-se a influência do gás na dopagem, microestrutura e propriedades físicas dos filmes. As deposições por magnetron sputtering foram realizadas a partir da confecção de um alvo sólido de AZO com 4% at de Al e um alvo sólido de TAZO com 4% at e 2% at de dopagem de Al e Ti, respectivamente, em atmosfera com fluxo máximo de 20 cm3/min, sob temperatura de 90 C e tempo de 0.5 h. Os filmes de cátodo oco foram obtidos a partir do mesmo tipo de pó que deu origem aos alvos usados no sputtering. As deposições por cátodo oco ocorreram com fluxo máximo de 20 cm3/min, sob temperatura de 200C e tempo de 0.5 h. A difração de raios X identificou que todos os filmes apresentam estrutura wurtzita e sistema cristalino hexagonal de grupo espacial P63mc. As técnicas de microscopia eletrônica e de força atômica permitiram a observação das mudanças superficiais provocas pelo acréscimo de oxigênio a atmosfera do processo, além de permitir mensurar a espessura dos filmes. Todos os filmes finos produzidos neste trabalho apresentaram transmitância óptica acima dos 80% e valores de resistividade elétrica que variaram entre 103 e 104 Ωcm. O cálculo de otimização da geometria corrobora com os resultados experimentais de DRX, que mostram a distorção nos sítios octaédricos dos íons Al3+ e Ti4+ originando uma rede cristalina assimétrica e com baixa grau estequiométrico. A estrutura eletrônica de bandas possibilitou observar a disposição das bandas de valência e condução em função do incremento de O na rede e o estado semicondutor dos filmes, o quais apresentam valores de Eg próximos da estrutura de ZnO puro e a natureza covalente das ligações Zn-O (⊥ c).


MEMBROS DA BANCA:
Interna - 2614274 - MICHELLE CEQUEIRA FEITOR
Interno - 2550377 - THERCIO HENRIQUE DE CARVALHO COSTA
Externo à Instituição - BARTOLOMEU CRUZ VIANA NETO - UFPI
Externo à Instituição - EMANUEL BENEDITO DE MELO - IFSP
Externo à Instituição - ROMULO RIBEIRO MAGALHAES DE SOUSA - UFPI
Notícia cadastrada em: 19/08/2020 18:35
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