Banca de DEFESA: ARMANDO MONTE MENDES

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: ARMANDO MONTE MENDES
DATA: 29/01/2015
HORA: 09:00
LOCAL: sala de aulas do PPgCEM
TÍTULO:

ESTUDO DA DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS DE BaTi_(1-X)Zr_(X)O₃ POR MEIO DE PLANEJAMENTO BOX-BEHNKEN

PALAVRAS-CHAVES:

BZT, Filmes Finos, Propriedades Elétricas, Planejamento Box-Behnken

PÁGINAS: 65
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:

Materiais cerâmicos ferroelétricos com estrutura perovskita (ABO₃) são largamente utilizados em componentes de memória no estado sólido (FeRAM’s e DRAM’s) bem como em capacitores de múltiplas camadas, especialmente na forma de filmes finos. Quando dopados com íons de zircônio, materiais à base de BaTiO₃ formam uma solução sólida conhecida como titanato zirconato de bário (BaTi_1-xZr_xO₃). Também chamado de BZT, esse material pode sofrer significativas mudanças em suas propriedades elétricas diante de pequenas variações do teor de zircônio na rede cristalina. O presente trabalho consiste no estudo dos efeitos dos parâmetros de deposição de filmes finos de BaTi_0,75Zr_0,25O₃ pelo método de spin-coating sobre sua morfologia e propriedades físicas, utilizando um planejamento experimental do tipo Box-Behnken. A resina utilizada no processo de deposição foi sintetizada pelo método dos precursores poliméricos (Pechini) e foi subsequentemente dividida em três parcelas cada qual teve sua viscosidade ajustada para 10, 20 e 30 mPa∙s por meio de um viscosímetro rotativo. As resinas foram depositadas em substratos de Pt/Ti/SiO₂/Si pelo método de spin-coating em 15 diferentes combinações de viscosidade, velocidade de rotação (3000, 5500 e 8000 rpm) e número de camadas depositadas (5, 8 e 11 camadas) previstas no planejamento e então calcinadas a 800ºC por 1h. A fase cristalina dos filmes foi determinada por difração de Raios-X (DRX) e indexada com a carta JCPDS 36-0019. Morfologia da superfície e tamanho de grão foram observados por meio de microscopia de força atômica (AFM) indicando filmes bem densificados e tamanho médio de grão em torno de 50nm. Imagens da seção transversal dos filmes foram obtidas por intermédio de microscopia eletrônica de varredura com emissão de campo (MEV-FEG), indicando espessuras bem uniformes variando de 140-700 nm entre amostras. Medidas de capacitância foram realizadas à temperatura ambiente com a ajuda de um analisador de impedância. Os filmes apresentaram valores de constante dielétrica de 49-277 a 100KHz e baixa perda dielétrica. O planejamento indicou efeitos não significativos das interações entre os parâmetros de deposição sobre a espessura dos filmes. A metodologia de superfícies de resposta possibilitou uma melhor observação dos efeitos das variáveis.

MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1802888 - FABIANA VILLELA DA MOTTA
Externo ao Programa - 350830 - JOSE HUMBERTO DE ARAUJO
Externo à Instituição - MARIA ROSIMAR DE SOUZA - IFRN
Presidente - 1883170 - MAURÍCIO ROBERTO BOMIO DELMONTE