Raman spectroscopy of mono- and bi-layer boron-doped graphene
grafeno; Raman; fônons; defeitos; boro; bandas.
As excepcionais propriedades físicas do grafeno o tornam um material promissor para uma ampla gama de aplicações.
A dopagem é uma estratégia chave para ajustar suas características eletrônicas e ópticas, sendo a dopagem com boro
(tipo p) uma oportunidade nova tanto para estudos fundamentais quanto para avanços tecnológicos. Neste trabalho,
investigamos as características espectrais Raman de grafeno monocamada e bicamada dopados com boro sob múltiplas
excitações a laser. Nossa análise foca no comportamento dos fônon, nas modificações da estrutura eletrônica e no
espalhamento de elétrons entre as camadas no grafeno bicamada, incluindo a extração do parâmetro de hopping.
Resultados preliminares revelam assimetria na banda D devido à distribuição anisotrópica de defeitos, além do
surgimento da anomalia de Kohn sob excitação a 633 nm. Esses achados fornecem insights sobre as interações
fundamentais que governam sistemas de grafeno dopado e contribuem para o desenvolvimento de materiais 2D sob
medida para aplicações eletrônicas e optoeletrônicas.