PROPRIEDADES TERMOELÉTRICAS DE FILMES NANOMÉTRICOS DE LIGAS DE TELURIO SELENIO E ANTIMONIO PRODUZIDOS POR MAGNETRON SPUTTERING DC.
Alvo, Telureto de Bismuto, Termoelétrico, Coeficiente Seebeck, Figura de Mérito.
A presente tese traz um método de produção de alvos semicondutores cujo material é proveniente de módulos termoelétricos comerciais. Os alvos têm a finalidade e foram utilizados em sistema magnetron sputtering. Os materiais que compõem os alvos são ligas ternárias semicondutoras, uma de telureto de bismuto e antimônio, que se caracteriza como tipo P e a outra ligada é um seleneto de bismuto e telúrio, cuja composição o caracteriza como tipo N. Estas ligas dos sistemas Bi2Te3-ySey e Bi2-xSbxTe3 apresentam propriedades termoelétricas de alto desempenho dentro da faixa de temperatura entorno da ambiente. A partir desses alvos, foram produzidos filmes termoelétricos de espessura nanométrica, em dois lotes, cujas amostras foram submetidas a tratamentos térmicos após sua produção. Foram investigadas as propriedades termoelétricas dos filmes, à temperatura ambiente, no sistema de medidas de propriedades físicas, o PPMS. Para isso foi utilizado a opção de transporte térmico TTO, o qual possibilita a aquisição de dados de grandezas físicas como o coeficiente Seebeck α, a condutividade térmica κ e a resistividade elétrica ρ. Com essas grandezas reunidas, foi calculado o Fator de Potência e a Figura de Mérito que é um fator adimensional que determina o quanto o material é promissor para aplicações em conversão de energia e refrigeração termoelétrica. Medidas de voltagem por corrente pelo método quatro pontas colinear, foram realizadas e mostraram um indicativo de utilização para o semicondutor tipo P como sensor de chaveamento térmico. Uma importante perspectiva é o desenvolvimento de um substrato, utilizando os filmes como termoelementos planares e assim, funcionar como dispositivo termoelétrico, capaz de promover gradientes térmicos em aplicações a outros sistemas como os magneto galvanométricos.